1)low dielectric constant aln ceramic part 2)high thermal conductivity, low dielectric loss 3)We are factory with trading dep

Property Index of Aluminum Nitride substrates

Property content	Property Index
Thermal conductivity (W/m·k)	≥170
Volume resistivity(Ω·cm)	>1013
Dielectric constant [1MHz, 25°C]	9
Dielectric loss [1MHz,25°C]	3.8*10-4
Dielectric strength(KV/mm)	17
Density(g/cm3)	≥3.30
Surface roughness Ra(µm)	0.3~0.5
Thermal expansivity [20°C to 300°C](10-6/°C)	4.6
Flexural strength (MPa)	320~330
Modulus of elasticity (GPa)	310~320
Moh’s hardness	8
Water absorption(%)	0
Camber(~/25(length))	0.03~0.05
Melting point(°C)	2500
Appearance/color	Dark Gray

The low dielectric constant aln ceramics substrate which has high thermal conductivity of more than 

170W/m.k,  high density, low dielectric loss, good insulation and some other excellent properties.

The ALN disk is the best choice for a wide range of industrial insulating heat sink material of high

 power machinery and equipments such as highfrequency equipment substrate, high power 

transistor module substrate, high density hybrid circuits, microwave power devices, power 

semiconductor devices, power electronic devices, optoelectronic components, laser semiconductor,

 LED, IC products, and so on.

Surface roughness can be reached within 0.1µm after being polished. Size tolerance can be controlled

 at around ±0.1mm by laser machine.

Different dimension and thickness are available via laser cutting or customize.

low dielectric constant aln ceramic part